SIM卡電路的主要分為幾個(gè)部分，VCC :電源，存在1.8V/3V/5V ，按照協(xié)議，目前常用的分為CLASS B與CLASS C。其中，CLASS B電壓為2.7-3.3V。 CLASS C電壓為1.62-198V。功耗方面CLASS B最大為6mA。CLASS C最大為4mA。一般情況下, SIM卡檢測(cè)電路要求支持1.8V與3.0V。

RST：復(fù)位，主要用于對(duì)內(nèi)部的處理器進(jìn)行復(fù)位。低電平: 0-0.2VCC。高電平: 0.8VCC-VCC。CLK ：時(shí)鐘，時(shí)鐘均在1-4MHZ。 低電平： 0-0.2VCC。高電平：0.7VCC-VCC。數(shù)據(jù)與手機(jī)內(nèi)部進(jìn)行信息傳輸?shù)耐ㄐ啪€。低電平: -0.3-0.2VCC。高電平: 0.7VCC-VCC+0.3。

VPP ， SIM卡的編程供電。在一般情況下為NC ，在設(shè)備具備NFC功能的情況下會(huì)使用到該引腳。

DET，檢測(cè)管腳，低電平拔出,高電平插入。其中， DET腳并不是SIM卡的引腳信號(hào)。其僅存在與連接器卡座上，屬于機(jī)械弓|腳，通過機(jī)械結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)插卡與拔卡的狀態(tài)切換。

電源開關(guān)時(shí)，SIM卡電氣性能為：當(dāng)敞開電源期間，按以下次第激活各觸點(diǎn)：RST低電平狀況：Vcc加電；I/O口處于接納狀況；VPP加電；供給安穩(wěn)的時(shí)鐘信號(hào)。當(dāng)封閉電源時(shí)，按如下次第作業(yè)：RST低電平狀況；CLK低電平狀況；VPP去電；I/O口低電平狀況；VCC去電。
正常開機(jī)的移動(dòng)電話機(jī)，在SIM卡座上用示波器能夠丈量到SIM_I/O、SIM_CLK、SIM_RST信號(hào)，它們是一個(gè)3V左右的脈沖。若檢測(cè)不到，闡明SIM卡座供電開關(guān)管周邊電阻、電容元件脫焊、SIM卡卡座脫焊，也有可能是卡座導(dǎo)致接觸不良，SIM卡外表氧化或是作廢卡。